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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPJW4P06A_R2_00001
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PJW4P06A_R2_00001 - Panjit International Inc.

Hersteller Artikelnummer
PJW4P06A_R2_00001
Hersteller
PANJIT
Allelco Artikelnummer
32D-PJW4P06A_R2_00001
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
PJW4P06A.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 274180

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Spezifikation

PJW4P06A_R2_00001 Tech -Spezifikationen
Panjit International Inc. - PJW4P06A_R2_00001 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Panjit International Inc. - PJW4P06A_R2_00001

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller PANJIT  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie PJW  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 785 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer PJW4P06  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Panjit International Inc. PJW4P06A_R2_00001.

Produkteigenschaften PJW4P06A_R2_00001 PJW5N10_R2_00001 IPB049N08N5ATMA1 NTB75N06LT4G
Artikelnummer PJW4P06A_R2_00001 PJW5N10_R2_00001 IPB049N08N5ATMA1 NTB75N06LT4G
Hersteller Panjit International Inc. Panjit International Inc. Infineon Technologies onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta) 125W (Tc) 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.8V @ 66µA 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 92 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 PG-TO263-3 D²PAK
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 5V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer PJW4P06 PJW5N10 IPB049 NTB75
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 785 pF @ 30 V 707 pF @ 30 V 3770 pF @ 40 V 4370 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 3.1A (Ta), 5A (Tc) 80A (Tc) 75A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 4A, 10V 130mOhm @ 2.5A, 10V 4.9mOhm @ 80A, 10V 11mOhm @ 37.5A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie PJW - OptiMOS™ -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 80 V 60 V

PJW4P06A_R2_00001 Datenblatt PDF

Laden Sie PJW4P06A_R2_00001 PDF -Datenblätter und Panjit International Inc. -Dokumentation für PJW4P06A_R2_00001 - Panjit International Inc. herunter.

Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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