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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL90N6F7
STMicroelectronics
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STL90N6F7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL90N6F7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL90N6F7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL90N6F7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52860

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Spezifikation

STL90N6F7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL90N6F7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL90N6F7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ F7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 10.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 4.8W (Ta), 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer STL90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL90N6F7.

Produkteigenschaften STL90N6F7 STL8N80K5 STL8P2UH7 STL9N60M2
Artikelnummer STL90N6F7 STL8N80K5 STL8P2UH7 STL9N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 800 V 20 V 600 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 6-PowerWDFN 8-PowerVDFN
Vgs (Max) ±20V ±30V ±8V ±25V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ F7 SuperMESH5™ DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ II Plus
Verlustleistung (max) 4.8W (Ta), 94W (Tc) 42W (Tc) 2.4W (Tc) 48W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 450 pF @ 100 V 2390 pF @ 16 V 320 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (2x2) PowerFlat™ (5x6) HV
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 10.5A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V 22.5mOhm @ 4A, 4.5V 860mOhm @ 2.4A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 1.5V, 4.5V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 4.5A (Tc) 8A (Tc) 4.8A (Tc)
Grundproduktnummer STL90 STL8N80 STL8 STL9

STL90N6F7 Datenblatt PDF

Laden Sie STL90N6F7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL90N6F7 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly 21/Dec/2022.pdf
Datenblätter
STL90N6F7.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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