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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL8P2UH7
STMicroelectronics
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STL8P2UH7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL8P2UH7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL8P2UH7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
Verpackung
6-PowerWDFN
Datenblatt
STL8P2UH7.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5420

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Spezifikation

STL8P2UH7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL8P2UH7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL8P2UH7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (2x2)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer STL8  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL8P2UH7.

Produkteigenschaften STL8P2UH7 STL8P4LLF6 STL90N10F7 STL90N3LLH6
Artikelnummer STL8P2UH7 STL8P4LLF6 STL90N10F7 STL90N3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse 6-PowerWDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ F6 DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.4W (Tc) 2.9W (Ta) 5W (Ta), 100W (Tc) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 4A, 4.5V 20.5mOhm @ 4A, 10V 10.5mOhm @ 8A, 10V 4.5mOhm @ 12A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390 pF @ 16 V 2850 pF @ 25 V 3550 pF @ 50 V 1690 pF @ 25 V
Grundproduktnummer STL8 STL8 STL90 STL90
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 40 V 100 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (2x2) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tj) 70A (Tc) 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V

STL8P2UH7 Datenblatt PDF

Laden Sie STL8P2UH7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL8P2UH7 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STL8P2UH7.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 07/Feb/2018.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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