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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL8P4LLF6
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL8P4LLF6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL8P4LLF6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL8P4LLF6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL8P4LLF6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79050

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Anzahl

Spezifikation

STL8P4LLF6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL8P4LLF6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL8P4LLF6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (3.3x3.3)  
Serie STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tj)  
Grundproduktnummer STL8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL8P4LLF6.

Produkteigenschaften STL8P4LLF6 STL90N6F7 STL90N10F7 STL8N6F7
Artikelnummer STL8P4LLF6 STL90N6F7 STL90N10F7 STL8N6F7
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 3550 pF @ 50 V 450 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tj) 90A (Tc) 70A (Tc) 36A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 4A, 10V 5.4mOhm @ 10.5A, 10V 10.5mOhm @ 8A, 10V 25mOhm @ 4A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie STripFET™ F6 STripFET™ F7 DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ F7
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer STL8 STL90 STL90 STL8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 100 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta) 4.8W (Ta), 94W (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STL8P4LLF6 Datenblatt PDF

Laden Sie STL8P4LLF6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL8P4LLF6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Carrier/Cover Tape Supplier 23/Sep/2021.pdf
Datenblätter
STL8P4LLF6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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