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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM042N03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM042N03CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM042N03CS RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM042N03CS RLG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
TSM042N03CS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 53660

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Spezifikation

TSM042N03CS RLG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM042N03CS RLG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM042N03CS RLG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM042  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS RLG.

Produkteigenschaften TSM042N03CS RLG TSM05N03CW RPG TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56
Artikelnummer TSM042N03CS RLG TSM05N03CW RPG TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 7 nC @ 5 V 11.1 nC @ 4.5 V 50 nC @ 10 V
Grundproduktnummer TSM042 TSM05 TSM055 TSM036
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 5A (Ta) 80A (Tc) 22A (Ta), 124A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 12A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 3.6mOhm @ 22A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 7W (Tc) 3W (Ta) 74W (Tc) 2.6W (Ta), 83W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP SOT-223 8-PDFN (5x5.8) 8-PDFN (5x6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 555 pF @ 15 V 1210 pF @ 25 V 2530 pF @ 15 V
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

TSM042N03CS RLG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM042N03CS RLG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM042N03CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM042N03CS.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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