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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM05N03CW RPG
TSM05N03CW RPG Image
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TSM05N03CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM05N03CW RPG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM05N03CW RPG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
TSM05N03.pdf
RoHS Status
vorrätig: 76820

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Spezifikation

TSM05N03CW RPG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM05N03CW RPG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM05N03CW RPG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)  
Grundproduktnummer TSM05  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW RPG.

Produkteigenschaften TSM05N03CW RPG TSM042N03CS RLG TSM060N03PQ33 RGG TSM036N03PQ56
Artikelnummer TSM05N03CW RPG TSM042N03CS RLG TSM060N03PQ33 RGG TSM036N03PQ56
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) 30A (Tc) 62A (Tc) 22A (Ta), 124A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer TSM05 TSM042 TSM060 TSM036
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V 2200 pF @ 25 V 1342 pF @ 15 V 2530 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 8-SOP 8-PDFN (3.1x3.1) 8-PDFN (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 5A, 10V 4.2mOhm @ 12A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3.6mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V 24 nC @ 4.5 V 25.4 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 7W (Tc) 40W (Tc) 2.6W (Ta), 83W (Tc)

TSM05N03CW RPG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM05N03CW RPG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM05N03CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM05N03.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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32D-TSM05N03CW RPG

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