Spezifikation
19MT050XF Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 19MT050XF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 19MT050XF
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
6V @ 250µA |
|
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
16-MTP |
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| Serie |
HEXFET® |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
220mOhm @ 19A, 10V |
|
| Leistung - max |
1140W |
|
| Verpackung / Gehäuse |
16-MTP Module |
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| Paket |
Bulk |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Chassis Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
7210pF @ 25V |
|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
160nC @ 10V |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
500V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
31A |
|
| Konfiguration |
4 N-Channel (Half Bridge) |
|
| Grundproduktnummer |
19MT050 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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SI4500BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
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DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
CSD86350Q5DTTexas Instruments25V POWERBLOCK N CH MOSFET
VEC2616-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
CPH3314-TL-ESanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET
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BUK9K134-100EXNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
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