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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangTCET1104
TCET1104 Image
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TCET1104 - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
TCET1104
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-TCET1104
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3940

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Anzahl

Spezifikation

TCET1104 Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1104 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1104

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 160% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 320% @ 10mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer TCET11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division TCET1104.

Produkteigenschaften TCET1104 TCET1101G TCET1100G TCET1106G
Artikelnummer TCET1104 TCET1101G TCET1100G TCET1106G
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
VCE Sätttigung (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Eingabetyp DC DC DC DC
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Grundproduktnummer TCET11 TCET1101 TCET1100 TCET1106
Stromübertragungsverhältnis (max) 320% @ 10mA 80% @ 10mA 600% @ 5mA 300% @ 5mA
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 160% @ 10mA 40% @ 10mA 50% @ 5mA 100% @ 5mA
Paket Tube Tube Tube Tube

TCET1104 Datenblatt PDF

Laden Sie TCET1104 PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für TCET1104 - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 21/Apr/2020.pdf
Datenblätter
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
HTML -Datenblatt
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Semiconductor Opto Division
32D-TCET1104

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