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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangTCET1101G
Vishay Semiconductor Opto Division
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TCET1101G - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
TCET1101G
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-TCET1101G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.400', 10.16mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
RoHS Status
vorrätig: 276620

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Spezifikation

TCET1101G Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1101G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1101G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.400', 10.16mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 80% @ 10mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer TCET1101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division TCET1101G.

Produkteigenschaften TCET1101G TCET1103G TCET1101 TCET1100
Artikelnummer TCET1101G TCET1103G TCET1101 TCET1100
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
VCE Sätttigung (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Serie - - - -
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Eingabetyp DC DC DC DC
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA 100% @ 10mA 40% @ 10mA 50% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max) 80% @ 10mA 200% @ 10mA 80% @ 10mA 600% @ 5mA
Grundproduktnummer TCET1101 TCET1103 TCET11 TCET1100
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs

TCET1101G Datenblatt PDF

Laden Sie TCET1101G PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für TCET1101G - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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