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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangTCET1105
TCET1105 Image
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TCET1105 - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
TCET1105
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-TCET1105
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4670

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Spezifikation

TCET1105 Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1105 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1105

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 600% @ 5mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer TCET11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division TCET1105.

Produkteigenschaften TCET1105 TCET1109G TCET1100 TCET1100G
Artikelnummer TCET1105 TCET1109G TCET1100 TCET1100G
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA 200% @ 5mA 50% @ 5mA 50% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max) 600% @ 5mA 400% @ 5mA 600% @ 5mA 600% @ 5mA
VCE Sätttigung (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Paket Tube Tube Tube Tube
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Eingabetyp DC DC DC DC
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-DIP (0.400", 10.16mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm)
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Serie - - - -
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
Grundproduktnummer TCET11 TCET1109 TCET1100 TCET1100

TCET1105 Datenblatt PDF

Laden Sie TCET1105 PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für TCET1105 - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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