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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangTCET1100
TCET1100 Image
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TCET1100 - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
TCET1100
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-TCET1100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
RoHS Status
vorrätig: 182790

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Spezifikation

TCET1100 Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 600% @ 5mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer TCET1100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division TCET1100.

Produkteigenschaften TCET1100 TCET1101G TCET1100G TCET1104G
Artikelnummer TCET1100 TCET1101G TCET1100G TCET1104G
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Serie - - - -
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm)
Stromübertragungsverhältnis (max) 600% @ 5mA 80% @ 10mA 600% @ 5mA 320% @ 10mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
VCE Sätttigung (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA 40% @ 10mA 50% @ 5mA 160% @ 10mA
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Eingabetyp DC DC DC DC
Grundproduktnummer TCET1100 TCET1101 TCET1100 TCET1104

TCET1100 Datenblatt PDF

Laden Sie TCET1100 PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für TCET1100 - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

Datenblätter
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
HTML -Datenblatt
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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