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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF720S
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF720S - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF720S
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF720S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF720SPBF.pdf
vorrätig: 4070

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Spezifikation

IRF720S Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF720S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF720S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF720  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF720S.

Produkteigenschaften IRF720S IRF720PBF IRF7207PBF IRF7207
Artikelnummer IRF720S IRF720PBF IRF7207PBF IRF7207
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB 8-SO 8-SO
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Grundproduktnummer IRF720 IRF720 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 20 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 780 pF @ 15 V 780 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc) 3.3A (Tc) 5.4A (Tc) 5.4A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF720S Datenblatt PDF

Laden Sie IRF720S PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF720S - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRF720SPBF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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