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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF720STRRPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF720STRRPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF720STRRPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF720STRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF720SPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24517

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Spezifikation

IRF720STRRPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF720STRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF720STRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF720  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF720STRRPBF.

Produkteigenschaften IRF720STRRPBF IRF720PBF IRF7210TRPBF IRF7220
Artikelnummer IRF720STRRPBF IRF720PBF IRF7210TRPBF IRF7220
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 212 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Grundproduktnummer IRF720 IRF720 - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB 8-SO 8-SO
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 12 V 14 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 17179 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc) 3.3A (Tc) 16A (Ta) 11A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 600mV @ 500µA (Min) 600mV @ 250µA (Min)

IRF720STRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF720STRRPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF720STRRPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRF720SPBF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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