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IRF7210TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7210TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7210TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7210PbF.pdf
vorrätig: 4830

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Spezifikation

IRF7210TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7210TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7210TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 500µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17179 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 212 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7210TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7210TRPBF IRF7220 IRF720PBF IRF7233
Artikelnummer IRF7210TRPBF IRF7220 IRF720PBF IRF7233
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 14 V 400 V 12 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta) 11A (Ta) 3.3A (Tc) 9.5A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 50W (Tc) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO TO-220AB 8-SO
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V 1.8Ohm @ 2A, 10V 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 500µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 212 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 74 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17179 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V 410 pF @ 25 V 6000 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7210TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7210TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7210TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Dec/2012.pdf
Datenblätter
IRF7210PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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