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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL530STRRPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL530STRRPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL530STRRPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL530STRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL530S,SiHL530S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40875

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Anzahl

Spezifikation

IRL530STRRPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL530STRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL530STRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL530STRRPBF.

Produkteigenschaften IRL530STRRPBF IRL530PBF IRL530NSPBF IRL540A
Artikelnummer IRL530STRRPBF IRL530PBF IRL530NSPBF IRL540A
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier onsemi
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 121W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 58mOhm @ 14A, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB D2PAK TO-220-3
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 1580 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - HEXFET® -
Grundproduktnummer IRL530 IRL530 - IRL54
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 54 nC @ 5 V

IRL530STRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL530STRRPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL530STRRPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRL530S,SiHL530S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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