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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL540A
IRL540A Image
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IRL540A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IRL540A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IRL540A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRL540A.pdf
vorrätig: 5410

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Spezifikation

IRL540A Tech -Spezifikationen
onsemi - IRL540A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IRL540A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 14A, 5V  
Verlustleistung (max) 121W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1580 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL54  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IRL540A.

Produkteigenschaften IRL540A IRL530STRRPBF IRL530NSTRLPBF IRL540
Artikelnummer IRL540A IRL530STRRPBF IRL530NSTRLPBF IRL540
Hersteller onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie - - HEXFET® -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Grundproduktnummer IRL54 IRL530 IRL530 IRL540
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1580 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V
Verlustleistung (max) 121W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 150W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 14A, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) 28A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 D²PAK (TO-263) D2PAK TO-220AB
FET-Merkmal - - - -

IRL540A Datenblatt PDF

Laden Sie IRL540A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für IRL540A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRL540A.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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