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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL530PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL530PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL530PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL530PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL530, SiHL530.pdf
RoHS Status
vorrätig: 63650

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Anzahl

Spezifikation

IRL530PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL530PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL530PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V  
Verlustleistung (max) 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL530PBF.

Produkteigenschaften IRL530PBF IRL530NSTRLPBF IRL540 IRL530STRRPBF
Artikelnummer IRL530PBF IRL530NSTRLPBF IRL540 IRL530STRRPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V 160mOhm @ 9A, 5V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-220AB D²PAK (TO-263)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 17A (Tc) 28A (Tc) 15A (Tc)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® - -
Grundproduktnummer IRL530 IRL530 IRL540 IRL530
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 150W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

IRL530PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL530PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL530PBF - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Datenblätter
IRL530, SiHL530.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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