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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL540
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL540 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL540
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL540
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL540.pdf
vorrätig: 4910

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Spezifikation

IRL540 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL540 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL540

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL540.

Produkteigenschaften IRL540 IRL540NPBF IRL530S IRL530NSTRL
Artikelnummer IRL540 IRL540NPBF IRL530S IRL530NSTRL
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 140W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 44mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 9A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 36A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundproduktnummer IRL540 IRL540 IRL530 -

IRL540 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL540 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL540 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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