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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL540PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL540PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL540PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL540PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL540PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35116

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Anzahl

Spezifikation

IRL540PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL540PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL540PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL540PBF.

Produkteigenschaften IRL540PBF IRL5602SPBF IRL540NSTRLPBF IRL540S
Artikelnummer IRL540PBF IRL5602SPBF IRL540NSTRLPBF IRL540S
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 44mOhm @ 18A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±10V ±8V ±16V ±10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 24A (Tc) 36A (Tc) 28A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 20 V 100 V 100 V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 75W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Grundproduktnummer IRL540 - IRL540 IRL540
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 4V, 5V

IRL540PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL540PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL540PBF - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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