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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL540SPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL540SPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL540SPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL540SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL540S, SiHL540S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 33325

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Anzahl

Spezifikation

IRL540SPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL540SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL540SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL540SPBF.

Produkteigenschaften IRL540SPBF IRL5602 IRL540NSPBF IRL540S
Artikelnummer IRL540SPBF IRL5602 IRL540NSPBF IRL540S
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) - 3.8W (Ta), 140W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® HEXFET® -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Paket Tube Tube Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 24A (Tc) 36A (Tc) 28A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 44mOhm @ 18A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 20 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±10V ±8V ±16V ±10V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 4V, 5V
Grundproduktnummer IRL540 - - IRL540
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRL540SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL540SPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL540SPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRL540S, SiHL540S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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