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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL540NSPBF
International Rectifier
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IRL540NSPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRL540NSPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL540NSPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HEXFET POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL540NSPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

IRL540NSPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRL540NSPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRL540NSPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRL540NSPBF.

Produkteigenschaften IRL540NSPBF IRL5602S IRL540NPBF IRL540A
Artikelnummer IRL540NSPBF IRL5602S IRL540NPBF IRL540A
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK TO-220AB TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 75W (Tc) 140W (Tc) 121W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 24A (Tc) 36A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±8V ±16V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 20 V 100 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 5V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V 54 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 1580 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 18A, 10V 42mOhm @ 12A, 4.5V 44mOhm @ 18A, 10V 58mOhm @ 14A, 5V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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