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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AUIRF7675M2TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7675M2TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7675M2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric M2
Datenblatt
AUIRF7675M2TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24528

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7675M2TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7675M2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7675M2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric M2  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric M2  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta), 18A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRF7675  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7675M2TR.

Produkteigenschaften AUIRF7675M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7416QTR
Artikelnummer AUIRF7675M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7416QTR
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta), 18A (Tc) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 35A (Ta), 130A (Tc) 10A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 25µA 4V @ 250µA 2.04V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 11A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 1.6mOhm @ 109A, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer AUIRF7675 AUIRF7665 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 40 V 30 V
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 45W (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 2.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric M2 DirectFET™ Isometric SB DirectFET™ Isometric L6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric M2 DIRECTFET SB DIRECTFET L6 8-SO
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V 7471 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

AUIRF7675M2TR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7675M2TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7675M2TR - Infineon Technologies herunter.

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