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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH190N65F-F155
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH190N65F-F155 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH190N65F-F155
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH190N65F-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH190N65F_F155.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14354

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Anzahl

Spezifikation

FCH190N65F-F155 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH190N65F-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH190N65F-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3225 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH190  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH190N65F-F155.

Produkteigenschaften FCH190N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155 FCH170N60
Artikelnummer FCH190N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155 FCH170N60
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3225 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V 1500 pF @ 400 V 2860 pF @ 380 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 650 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20.6A (Tc) 24A (Tc) 19A (Tc) 22A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2mA 5V @ 2.4mA 4.5V @ 1.9mA 3.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 170mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II
Grundproduktnummer FCH190 FCH150 FCH165 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247-3 TO-247
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 298W (Tc) 154W (Tc) 227W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Bulk Tube Bulk

FCH190N65F-F155 Datenblatt PDF

Laden Sie FCH190N65F-F155 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH190N65F-F155 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FCH190N65F_F155.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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