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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH165N65S3R0-F155
onsemi
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FCH165N65S3R0-F155 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH165N65S3R0-F155
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH165N65S3R0-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH165N65S3R0-F155.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9016

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Spezifikation

FCH165N65S3R0-F155 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH165N65S3R0-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH165N65S3R0-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 154W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH165  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH165N65S3R0-F155.

Produkteigenschaften FCH165N65S3R0-F155 FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60
Artikelnummer FCH165N65S3R0-F155 FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 154W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc) 278W (Tc)
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V 3737 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V 3590 pF @ 380 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V
Grundproduktnummer FCH165 FCH150 FCH150 -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 650 V 600 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA 5V @ 2.4mA 5V @ 2.4mA 3.5V @ 250µA
Serie SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II

FCH165N65S3R0-F155 Datenblatt PDF

Laden Sie FCH165N65S3R0-F155 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH165N65S3R0-F155 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
PCN -Verpackung
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FCH165N65S3R0-F155.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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