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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH170N60
Fairchild Semiconductor
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FCH170N60 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FCH170N60
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FCH170N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH170N60.pdf
vorrätig: 10564

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Spezifikation

FCH170N60 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FCH170N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FCH170N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 227W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FCH170N60.

Produkteigenschaften FCH170N60 FCH165N60E FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155
Artikelnummer FCH170N60 FCH165N60E FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 227W (Tc) 227W (Tc) 298W (Tc) 154W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V 165mOhm @ 11.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V 2434 pF @ 380 V 3737 pF @ 100 V 1500 pF @ 400 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 2.4mA 4.5V @ 1.9mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 23A (Tc) 24A (Tc) 19A (Tc)

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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