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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH165N60E
onsemi
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FCH165N60E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH165N60E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH165N60E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH165N60E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11789

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Anzahl

Spezifikation

FCH165N60E Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH165N60E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH165N60E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 227W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2434 pF @ 380 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH165  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH165N60E.

Produkteigenschaften FCH165N60E FCH170N60 FCH130N60 FCH165N65S3R0-F155
Artikelnummer FCH165N60E FCH170N60 FCH130N60 FCH165N65S3R0-F155
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2434 pF @ 380 V 2860 pF @ 380 V 3590 pF @ 380 V 1500 pF @ 400 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.9mA
Grundproduktnummer FCH165 - - FCH165
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 TO-247 TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11.5A, 10V 170mOhm @ 11A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 22A (Tc) 28A (Tc) 19A (Tc)
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III
Verlustleistung (max) 227W (Tc) 227W (Tc) 278W (Tc) 154W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V

FCH165N60E Datenblatt PDF

Laden Sie FCH165N60E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH165N60E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Datenblätter
FCH165N60E.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Source Add 5/Aug/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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