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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS86180
onsemi
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FDMS86180 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS86180
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS86180
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS86180.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17051

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Spezifikation

FDMS86180 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS86180 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS86180

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 370µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 67A, 10V  
Verlustleistung (max) 138W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6215 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 6 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 151A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS86180.

Produkteigenschaften FDMS86180 FDMS8622 FDMS86105 FDMS86201
Artikelnummer FDMS86180 FDMS8622 FDMS86105 FDMS86201
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 6 V 7 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 151A (Tc) 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 6A (Ta), 26A (Tc) 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 370µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 138W (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6215 pF @ 50 V 400 pF @ 50 V 645 pF @ 50 V 2735 pF @ 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 67A, 10V 56mOhm @ 4.8A, 10V 34mOhm @ 6A, 10V 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Supplier Device-Gehäuse Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Grundproduktnummer FDMS86 FDMS86 FDMS86 FDMS86
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 120 V
FET-Merkmal - - - -

FDMS86180 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS86180 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS86180 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Retraction 4/Jan/2023.pdf
Datenblätter
FDMS86180.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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