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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS86200DC
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS86200DC - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS86200DC
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS86200DC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS86200DC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16988

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Anzahl

Spezifikation

FDMS86200DC Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS86200DC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS86200DC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie Dual Cool™, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2955 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta), 28A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS86200DC.

Produkteigenschaften FDMS86200DC FDMS86250 FDMS86163P FDMS86152
Artikelnummer FDMS86200DC FDMS86250 FDMS86163P FDMS86152
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie Dual Cool™, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.3A, 10V 25mOhm @ 6.7A, 10V 22mOhm @ 7.9A, 10V 6mOhm @ 14A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 150 V 100 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta), 28A (Tc) 6.7A (Ta), 20A (Tc) 7.9A (Ta), 50A (Tc) 14A (Ta), 45A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Grundproduktnummer FDMS86200 FDMS86 FDMS86163 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2955 pF @ 75 V 2330 pF @ 75 V 4085 pF @ 50 V 3370 pF @ 50 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.7W (Ta), 125W (Tc)

FDMS86200DC Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS86200DC PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS86200DC - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 06/Dec/2022.pdf Mult Dev Material/Assembly Chg 20/Mar/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wire Conversion 21/Nov/2017.pdf
Datenblätter
FDMS86200DC.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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