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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS8622
onsemi
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FDMS8622 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS8622
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS8622
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS8622.pdf
RoHS Status
vorrätig: 75580

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Anzahl

Spezifikation

FDMS8622 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS8622 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS8622

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS8622.

Produkteigenschaften FDMS8622 FDMS86200 FDMS86180 FDMS86252L
Artikelnummer FDMS8622 FDMS86200 FDMS86180 FDMS86252L
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 100 V 150 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 54 nC @ 6 V 21 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 138W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 50 V 2715 pF @ 75 V 6215 pF @ 50 V 1335 pF @ 75 V
Grundproduktnummer FDMS86 FDMS86 FDMS86 -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 370µA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.8A, 10V 18mOhm @ 9.6A, 10V 3.2mOhm @ 67A, 10V 56mOhm @ 4.4A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 9.6A (Ta), 35A (Tc) 151A (Tc) 4.4A (Ta), 12A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDMS8622 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS8622 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS8622 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
FDMSYYY 10/Jan/2018.pdf
Datenblätter
FDMS8622.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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