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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS86201
onsemi
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FDMS86201 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS86201
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS86201
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS86201.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36312

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Anzahl

Spezifikation

FDMS86201 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS86201 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS86201

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 11.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2735 pF @ 60 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.6A (Ta), 49A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS86201.

Produkteigenschaften FDMS86201 FDMS86252 FDMS8622 FDMS86200DC
Artikelnummer FDMS86201 FDMS86252 FDMS8622 FDMS86200DC
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 11.6A, 10V 51mOhm @ 4.6A, 10V 56mOhm @ 4.8A, 10V 17mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V 150 V 100 V 150 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer FDMS86 FDMS86 - FDMS86200
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.6A (Ta), 49A (Tc) 4.6A (Ta), 16A (Tc) 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2735 pF @ 60 V 905 pF @ 75 V 400 pF @ 50 V 2955 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V

FDMS86201 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS86201 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS86201 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMS86201.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Cancellation 20/Feb/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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