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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS86183
onsemi
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FDMS86183 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS86183
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS86183
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS86183.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52020

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Anzahl

Spezifikation

FDMS86183 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS86183 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS86183

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1515 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 6 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS86183.

Produkteigenschaften FDMS86183 FDMS86150A FDMS86200DC FDMS8622
Artikelnummer FDMS86183 FDMS86150A FDMS86200DC FDMS8622
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16A, 10V 4.85mOhm @ 16A, 10V 17mOhm @ 9.3A, 10V 56mOhm @ 4.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 150 V 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer FDMS86 - FDMS86200 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1515 pF @ 50 V 4665 pF @ 50 V 2955 pF @ 75 V 400 pF @ 50 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Tc) 16A (Ta), 60A (Tc) 9.3A (Ta), 28A (Tc) 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 6 V 66 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDMS86183 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS86183 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS86183 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T 17/Jun/2021.pdf
Datenblätter
FDMS86183.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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