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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76419P3
HUF76419P3 Image
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HUF76419P3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76419P3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76419P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF76419P3, HUF76419S3S.pdf
vorrätig: 3760

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Spezifikation

HUF76419P3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76419P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76419P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76419P3.

Produkteigenschaften HUF76419P3 HUF76419S3ST HUF76419D3ST HUF76423D3
Artikelnummer HUF76419P3 HUF76419S3ST HUF76419D3ST HUF76423D3
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Grundproduktnummer HUF76 - - HUF76
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 37mOhm @ 20A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 D2PAK (TO-263) TO-252, (D-Pak) I-PAK
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 27.5 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 85W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

HUF76419P3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76419P3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76419P3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF76419P3, HUF76419S3S.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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