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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76423D3
Fairchild Semiconductor
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HUF76423D3 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUF76423D3
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76423D3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
HUF76423D3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 105320

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Anzahl

Spezifikation

HUF76423D3 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUF76423D3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUF76423D3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUF76423D3.

Produkteigenschaften HUF76423D3 HUF76423P3 HUF76423D3S HUF76423D3S
Artikelnummer HUF76423D3 HUF76423P3 HUF76423D3S HUF76423D3S
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 85W (Tc) 85W (Tc) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V 30mOhm @ 35A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse I-PAK TO-220-3 TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 35A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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