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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76423D3S
Fairchild Semiconductor
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HUF76423D3S - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUF76423D3S
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76423D3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
HUF76423D3S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 68720

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Spezifikation

HUF76423D3S Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUF76423D3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUF76423D3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUF76423D3S.

Produkteigenschaften HUF76423D3S HUF76419S3ST HUF76419S3S HUF76429D3S
Artikelnummer HUF76423D3S HUF76419S3ST HUF76419S3S HUF76429D3S
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 29A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 1480 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 110W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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