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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76423D3
onsemi
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HUF76423D3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76423D3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76423D3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
HUF76423D3, HUF76423D3S.pdf
vorrätig: 5170

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Spezifikation

HUF76423D3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76423D3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76423D3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76423D3.

Produkteigenschaften HUF76423D3 HUF76419S3ST HUF76419D3ST HUF76423D3S
Artikelnummer HUF76423D3 HUF76419S3ST HUF76419D3ST HUF76423D3S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer HUF76 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 37mOhm @ 20A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 27.5 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK D2PAK (TO-263) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 85W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™

HUF76423D3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76423D3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76423D3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF76423D3, HUF76423D3S.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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