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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76419S3ST-F085
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HUF76419S3ST-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76419S3ST-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76419S3ST-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF76419S3ST-F085.pdf
vorrätig: 4720

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Spezifikation

HUF76419S3ST-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76419S3ST-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76419S3ST-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76419S3ST-F085.

Produkteigenschaften HUF76419S3ST-F085 HUF76423D3S HUF76423D3 HUF76419S3S
Artikelnummer HUF76419S3ST-F085 HUF76423D3S HUF76423D3 HUF76419S3S
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-252AA I-PAK D²PAK (TO-263)
Verlustleistung (max) 100W (Tc) 85W (Tc) 85W (Tc) 75W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 29A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.5 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer HUF76 HUF76 - HUF76
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

HUF76419S3ST-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76419S3ST-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76419S3ST-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 Dev Pkg Chg 24/May/2018.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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