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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76423P3
HUF76423P3 Image
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HUF76423P3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76423P3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76423P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF76423P3, HUF76423S3S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51580

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Spezifikation

HUF76423P3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76423P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76423P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76423  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76423P3.

Produkteigenschaften HUF76423P3 HUF76429D3S HUF76419S3ST HUF76423D3S
Artikelnummer HUF76423P3 HUF76429D3S HUF76419S3ST HUF76423D3S
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V 1480 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-252AA D2PAK (TO-263) TO-252, (D-Pak)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 35A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 20A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 110W (Tc) 75W (Tc) 85W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer HUF76423 HUF76 - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

HUF76423P3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76423P3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76423P3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF76423P3, HUF76423S3S.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 14/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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