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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT5401LT1G
MMBT5401LT1G Image
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MMBT5401LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MMBT5401LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT5401LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT,NSV,SMMBT5401LT1,3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 641250

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Spezifikation

MMBT5401LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - MMBT5401LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MMBT5401LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 300 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer MMBT5401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MMBT5401LT1G.

Produkteigenschaften MMBT5401LT1G MMBT5551 MMBT5551 MMBT5401-7-F
Artikelnummer MMBT5401LT1G MMBT5551 MMBT5551 MMBT5401-7-F
Hersteller onsemi ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED onsemi Diodes Incorporated
Grundproduktnummer MMBT5401 - MMBT5551 MMBT5401
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V 160 V 160 V 150 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3L SOT-23-3 SOT-23-3
Frequenz - Übergang 300MHz 100MHz 100MHz 300MHz
Transistor-Typ PNP NPN NPN PNP
Leistung - max 300 mW 350 mW 350 mW 300 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

MMBT5401LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie MMBT5401LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MMBT5401LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 19/May/2010.pdf Copper Wire Update 10/Sep/2015.pdf
Datenblätter
MMBT,NSV,SMMBT5401LT1,3.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Capacity expansion 11/Nov/2020.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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