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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT5401LT3G
MMBT5401LT3G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MMBT5401LT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MMBT5401LT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT5401LT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT,NSV,SMMBT5401LT1,3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 866250

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Spezifikation

MMBT5401LT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - MMBT5401LT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MMBT5401LT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 300 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer MMBT5401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MMBT5401LT3G.

Produkteigenschaften MMBT5401LT3G MMBT5550LT1G MMBT5401Q-7-F MMBT5551
Artikelnummer MMBT5401LT3G MMBT5550LT1G MMBT5401Q-7-F MMBT5551
Hersteller onsemi onsemi Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V 140 V 150 V 160 V
Frequenz - Übergang 300MHz - 300MHz 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer MMBT5401 MMBT5550 MMBT5401 -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 SOT-23-3
Leistung - max 300 mW 225 mW 350 mW 350 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 100nA 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Transistor-Typ PNP NPN PNP NPN

MMBT5401LT3G Datenblatt PDF

Laden Sie MMBT5401LT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MMBT5401LT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 19/May/2010.pdf Glue Mount Process 11/July/2008.pdf
Datenblätter
MMBT,NSV,SMMBT5401LT1,3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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