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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT5551
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MMBT5551 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Hersteller Artikelnummer
MMBT5551
Hersteller
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT5551
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT555x.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1729000

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Anzahl

Spezifikation

MMBT5551 Tech -Spezifikationen
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - MMBT5551 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - MMBT5551

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 160 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3L  
Serie -  
Leistung - max 350 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5551.

Produkteigenschaften MMBT5551 MMBT5551 MMBT5551 MMBT5551-7-F
Artikelnummer MMBT5551 MMBT5551 MMBT5551 MMBT5551-7-F
Hersteller ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED NTE Electronics, Inc onsemi Diodes Incorporated
Paket Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Frequenz - Übergang 100MHz 100MHz 100MHz 300MHz
Leistung - max 350 mW 350 mW 350 mW 300 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 160 V 160 V 160 V 160 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3L SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

MMBT5551 Datenblatt PDF

Laden Sie MMBT5551 PDF -Datenblätter und ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED -Dokumentation für MMBT5551 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED herunter.

Datenblätter
MMBT555x.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MMBT5551

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
32D-MMBT5551

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