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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT5550
MMBT5550 Image
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MMBT5550 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MMBT5550
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT5550
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT5550.pdf
vorrätig: 5230

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Anzahl

Spezifikation

MMBT5550 Tech -Spezifikationen
onsemi - MMBT5550 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MMBT5550

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Leistung - max 350 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 50MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer MMBT5550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MMBT5550.

Produkteigenschaften MMBT5550 MMBT5550LT1G MMBT5401Q-7-F MMBT5401LT3G
Artikelnummer MMBT5550 MMBT5550LT1G MMBT5401Q-7-F MMBT5401LT3G
Hersteller onsemi onsemi Diodes Incorporated onsemi
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 50MHz - 300MHz 300MHz
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V 140 V 150 V 150 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 500 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 350 mW 225 mW 350 mW 300 mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Grundproduktnummer MMBT5550 MMBT5550 MMBT5401 MMBT5401
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor-Typ NPN NPN PNP PNP

MMBT5550 Datenblatt PDF

Laden Sie MMBT5550 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MMBT5550 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 22/Dec/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Addition 20/Jul/2015.pdf
Datenblätter
MMBT5550.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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