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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT5550LT3G
MMBT5550LT3G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MMBT5550LT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MMBT5550LT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT5550LT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT5550L-51L, SMMBT5551L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 888100

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Anzahl

Spezifikation

MMBT5550LT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - MMBT5550LT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MMBT5550LT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 225 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer MMBT5550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MMBT5550LT3G.

Produkteigenschaften MMBT5550LT3G MMBT5550LT1G MMBT5401Q-7-F MMBT5401LT1G
Artikelnummer MMBT5550LT3G MMBT5550LT1G MMBT5401Q-7-F MMBT5401LT1G
Hersteller onsemi onsemi Diodes Incorporated onsemi
Frequenz - Übergang - - 300MHz 300MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 500 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V 140 V 150 V 150 V
Leistung - max 225 mW 225 mW 350 mW 300 mW
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundproduktnummer MMBT5550 MMBT5550 MMBT5401 MMBT5401
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Transistor-Typ NPN NPN PNP PNP

MMBT5550LT3G Datenblatt PDF

Laden Sie MMBT5550LT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MMBT5550LT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf Copper Wire Update 10/Sep/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
Datenblätter
MMBT5550L-51L, SMMBT5551L.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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