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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS5C673NLTWG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS5C673NLTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS5C673NLTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS5C673NLTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS5C673NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42740

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS5C673NLTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS5C673NLTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS5C673NLTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS5C673NLTWG.

Produkteigenschaften NTTFS5C673NLTWG NTTS2P03R2G NTTS2P03R2 NTTFS5C670NLTAG
Artikelnummer NTTFS5C673NLTWG NTTS2P03R2G NTTS2P03R2 NTTFS5C670NLTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 500 pF @ 24 V 500 pF @ 24 V 1400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer NTTFS5 NTTS2P NTTS2P NTTFS5
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-PowerWDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 600mW (Ta) 600mW (Ta) 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 25A, 10V 85mOhm @ 2.48A, 10V 85mOhm @ 2.48A, 10V 6.5mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 20 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 50A (Tc) 2.1A (Ta) 2.1A (Ta) 16A (Ta), 70A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 30 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-MSOP 8-MSOP 8-WDFN (3.3x3.3)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NTTFS5C673NLTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS5C673NLTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS5C673NLTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
Datenblätter
NTTFS5C673NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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