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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTS2P03R2
NTTS2P03R2 Image
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NTTS2P03R2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTS2P03R2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTS2P03R2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
NTTS2P03R2.pdf
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

NTTS2P03R2 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTS2P03R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTS2P03R2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.48A, 10V  
Verlustleistung (max) 600mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 24 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta)  
Grundproduktnummer NTTS2P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTS2P03R2.

Produkteigenschaften NTTS2P03R2 NTTS2P02R2G NTTFS5820NLTAG NTTFS5CS73NLTAG
Artikelnummer NTTS2P03R2 NTTS2P02R2G NTTFS5820NLTAG NTTFS5CS73NLTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 60 V -
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel -
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP 8-MSOP 8-WDFN (3.3x3.3) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V -
Grundproduktnummer NTTS2P NTTS2P NTTFS5820 NTTFS5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 24 V 550 pF @ 16 V 1462 pF @ 25 V -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta) 2.4A (Ta) 11A (Ta), 37A (Tc) -
Serie - - - *
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.48A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V -
Verlustleistung (max) 600mW (Ta) 780mW (Ta) 2.7W (Ta), 33W (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-PowerWDFN -

NTTS2P03R2 Datenblatt PDF

Laden Sie NTTS2P03R2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTS2P03R2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Datenblätter
NTTS2P03R2.pdf

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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