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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTS2P03R2G
NTTS2P03R2G Image
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NTTS2P03R2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTS2P03R2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTS2P03R2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
NTTS2P03R2.pdf
vorrätig: 5330

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Spezifikation

NTTS2P03R2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTS2P03R2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTS2P03R2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.48A, 10V  
Verlustleistung (max) 600mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 24 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta)  
Grundproduktnummer NTTS2P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTS2P03R2G.

Produkteigenschaften NTTS2P03R2G NTTFS5C673NLTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS5826NLTWG
Artikelnummer NTTS2P03R2G NTTFS5C673NLTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS5826NLTWG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 9.5 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 600mW (Ta) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 3.1W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.48A, 10V 9.3mOhm @ 25A, 10V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 24mOhm @ 7.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta) 13A (Ta), 50A (Tc) 11A (Ta), 37A (Tc) 8A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 60 V 60 V
Grundproduktnummer NTTS2P NTTFS5 NTTFS5820 NTTFS5
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 24 V 880 pF @ 25 V 1462 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -

NTTS2P03R2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTTS2P03R2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTS2P03R2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Datenblätter
NTTS2P03R2.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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