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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS5820NLTWG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS5820NLTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS5820NLTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS5820NLTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS5820NL.pdf
vorrätig: 5100

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Spezifikation

NTTFS5820NLTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS5820NLTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS5820NLTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1462 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 37A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS5820NLTWG.

Produkteigenschaften NTTFS5820NLTWG NTTFS4H05NTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS5C453NLTAG
Artikelnummer NTTFS5820NLTWG NTTFS4H05NTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS5C453NLTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 37A (Tc) 22.4A (Ta), 94A (Tc) 11A (Ta), 37A (Tc) 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 3.3mOhm @ 30A, 10V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 2.66W (Ta), 46.3W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1462 pF @ 25 V 1205 pF @ 12 V 1462 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 18.9 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer NTTFS5 NTTFS4 NTTFS5820 NTTFS5
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 25 V 60 V 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -

NTTFS5820NLTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS5820NLTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS5820NLTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Oct/2014.pdf
Datenblätter
NTTFS5820NL.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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