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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS5826NLTWG
onsemi
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NTTFS5826NLTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS5826NLTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS5826NLTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS5826NL.pdf
vorrätig: 4030

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Spezifikation

NTTFS5826NLTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS5826NLTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS5826NLTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 19W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)  
Grundproduktnummer NTTFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS5826NLTWG.

Produkteigenschaften NTTFS5826NLTWG NTTFS6H850NLTAG NTTFS4H07NTAG NTTFS5C453NLTAG
Artikelnummer NTTFS5826NLTWG NTTFS6H850NLTAG NTTFS4H07NTAG NTTFS5C453NLTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer NTTFS5 NTTFS6 NTTFS4 NTTFS5
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 80 V 25 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 19W (Tc) 3.9W (Ta), 73W (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta) 14.8A (Ta), 64A (Tc) 18.5A (Ta), 66A (Tc) 23A (Ta), 107A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V 1450 pF @ 40 V 771 pF @ 12 V 2100 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.5A, 10V 8.6mOhm @ 10A, 10V 4.8mOhm @ 30A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 70µA 2.1V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 12.4 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)

NTTFS5826NLTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS5826NLTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS5826NLTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 20/Jan/2015.pdf
Datenblätter
NTTFS5826NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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