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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVR4003NT3G
NVR4003NT3G Image
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NVR4003NT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVR4003NT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVR4003NT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NTR4003N, NVR4003N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 508750

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Anzahl

Spezifikation

NVR4003NT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVR4003NT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVR4003NT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V  
Verlustleistung (max) 690mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21 pF @ 5 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta)  
Grundproduktnummer NVR4003  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVR4003NT3G.

Produkteigenschaften NVR4003NT3G NVR5124PLT1G IXFL34N100 NVR4501NT1G
Artikelnummer NVR4003NT3G NVR5124PLT1G IXFL34N100 NVR4501NT1G
Hersteller onsemi onsemi IXYS onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V 230mOhm @ 3A, 10V 280mOhm @ 30A, 10V 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 1000 V 20 V
Grundproduktnummer NVR4003 NVR5124 IXFL34 NVR4501
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V 4.5V, 10V 10V 2.5V, 4.5V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-264-3, TO-264AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 8mA 1.2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta) 1.1A (Ta) 30A (Tc) 3.2A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) ISOPLUS264™ SOT-23-3 (TO-236)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15 nC @ 5 V 4.3 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21 pF @ 5 V 240 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 200 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 690mW (Ta) 470mW (Ta) 550W (Tc) 1.25W (Tj)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 HiPerFET™ Automotive, AEC-Q101

NVR4003NT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NVR4003NT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVR4003NT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf Wire Replacement 10/Jan/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018.pdf
Datenblätter
NTR4003N, NVR4003N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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