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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVR5198NLT1G
NVR5198NLT1G Image
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NVR5198NLT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVR5198NLT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVR5198NLT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NVR5198NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 272540

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Anzahl

Spezifikation

NVR5198NLT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVR5198NLT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVR5198NLT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 182 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta)  
Grundproduktnummer NVR5198  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVR5198NLT1G.

Produkteigenschaften NVR5198NLT1G NVR1P02T1G IRFD9113 IXFH102N15T
Artikelnummer NVR5198NLT1G NVR1P02T1G IRFD9113 IXFH102N15T
Hersteller onsemi onsemi Harris Corporation IXYS
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP TO-247AD (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta) 1A (Ta) 600mA (Ta) 102A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 4-DIP (0.300", 7.62mm) TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 182 pF @ 25 V 165 pF @ 5 V 250 pF @ 25 V 5220 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - HiPerFET™, Trench
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer NVR5198 NVR1P02 IRFD9113 IXFH102
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 400mW (Ta) - 455W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA - 5V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 20 V 60 V 150 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 10V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 1A, 10V 180mOhm @ 1.5A, 10V 1.6Ohm @ 300mA, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V 2.5 nC @ 5 V 15 nC @ 15 V 87 nC @ 10 V

NVR5198NLT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVR5198NLT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVR5198NLT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Datenblätter
NVR5198NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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