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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVR4501NT1G
NVR4501NT1G Image
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NVR4501NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVR4501NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVR4501NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NTR4501N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 272770

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Spezifikation

NVR4501NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVR4501NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVR4501NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta)  
Grundproduktnummer NVR4501  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVR4501NT1G.

Produkteigenschaften NVR4501NT1G STF22NM60N IPD50N04S410ATMA1 FQA44N08
Artikelnummer NVR4501NT1G STF22NM60N IPD50N04S410ATMA1 FQA44N08
Hersteller onsemi STMicroelectronics Infineon Technologies onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 10 V 1300 pF @ 50 V 1430 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101 MDmesh™ II OptiMOS™ QFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 15µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-3P-3, SC-65-3
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 44 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Grundproduktnummer NVR4501 STF22 IPD50 FQA4
Verlustleistung (max) 1.25W (Tj) 30W (Tc) 41W (Tc) 163W (Tc)
Vgs (Max) ±12V ±30V ±20V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta) 16A (Tc) 50A (Tc) 49.8A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) TO-220FP PG-TO252-3-313 TO-3P
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 600 V 40 V 80 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.6A, 4.5V 220mOhm @ 8A, 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 34mOhm @ 24.9A, 10V

NVR4501NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVR4501NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVR4501NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Compound Qualification 23/Jun/2019.pdf
Datenblätter
NTR4501N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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